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2023-05-28 发布于四川
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一种制备钙钛矿薄膜的方法.pdf

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本发明属于半导体光电器件领域，具体涉及一种制备钙钛矿薄膜的方法，及其利用方法所得钙钛矿薄膜在制备太阳能电池等光电器件中的应用。于0℃—100℃低温下，向钙钛矿前驱体溶液中引入有机胺盐添加剂获得前驱液，并将其涂覆在基底表面，使其于基底表面上形成前驱体薄膜，形成薄膜后0℃—100℃低温下将基底浸入反应溶剂中进行浸出反应，使前驱体薄膜形成钙钛矿薄膜。本发明方法实现了在低温下制备高质量，高结晶性的无机钙钛矿薄膜。本发明也提供了上述钙钛矿薄膜制备方法在钙钛矿太阳能电池中的应用实例。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112382724 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011192988.8 (22)申请日 2020.10.30 (71)申请人中国

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