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一种定向自组装制备半导体纳米器件结构的方法.pdfVIP

一种定向自组装制备半导体纳米器件结构的方法.pdf

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    本发明公开了一种定向自组装制备半导体纳米器件结构的方法，在半导体衬底上形成硬掩膜层、心轴层、光刻堆叠层以及缓冲层，引导图案形成在缓冲层表面，之后旋涂嵌段共聚物(BCP)经退火后形成定向自组装(DSA)图案。然后将DSA图案依次转移到缓冲层、光刻堆叠层和心轴层上，再结合自对准侧墙转移技术进一步对自组装图形进行微缩和图案化，由此在半导体衬底上形成半导体纳米器件结构图形。本发明将定向自组装图形转移技术与自对准侧墙转移技术相结合，技术方案与当前的集成电路制造工艺相兼容，通过尺寸微缩可以实现10nm以下尺

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112366137 A (43)申请公布日 2021.02.12 (21)申请号 202011122236.4 (22)申请日 2020.10.20 (71)申请人 成都工业学院 地址

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