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场限环-沟槽负斜角复合终端结构的制备方法.pdfVIP

场限环-沟槽负斜角复合终端结构的制备方法.pdf

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    本发明涉及场限环‑沟槽负斜角复合终端结构及其制备方法，步骤为：制备器件的有源区和终端区，终端区设置至少一个以上的场限环；用掩模版1进行掩蔽曝光，在终端区刻蚀垂直沟槽；用掩模版2进行掩蔽曝光，在终端区进行二次刻蚀，形成负斜角沟槽；在负斜角沟槽区填充氮氧化硅绝缘材料，最后进行背面减薄、镀金及三端电极引出，得到场限环‑沟槽负斜角复合终端结构。本发明适用于功率MOS器件的场限环‑沟槽负斜角复合终端结构，由于工艺简单，高温稳定性好，并且能在芯片面积与击穿电压两者之间取得较好的折衷，因此，该复合终端也可推广

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112349768 B (45)授权公告日 2023.03.31 (21)申请号 202011005385.2 H01L 29/78 (2006.01)

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