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半导体装置(1)具有：半导体层(40)，具有主面(40a及40b)；金属层(31)，具有主面(31a及31b)，主面(31a)与主面(40b)接触，比半导体层(40)厚，由第1金属材料构成；金属层(30)，具有主面(30a及30b)，主面(30a)与主面(31b)接触，比半导体层(40)厚，由杨氏模量比第1金属材料大的金属材料构成；以及晶体管(10及20)；晶体管(10)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(11)及栅极电极(19)；晶体管(20)在半导体层(40)的主面(40a)侧
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112368845 A
(43)申请公布日 2021.02.12
(21)申请号 201980040521.0 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司
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