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本发明公开了一种铜制程金属沟槽的制作方法,包括步骤:在底层结构上依次形成第一NFDARC层、金属硬质掩膜层和第二NFDARC层;进行第一次光刻工艺定义出第一部分金属沟槽开口的形成区域;进行第一次刻蚀工艺形成底部停止在第一NFDARC层的表面的第一部分金属沟槽开口;进行第一次灰化工艺将第一光刻胶图形去除;进行第二次光刻工艺定义出第二部分金属沟槽开口的形成区域;进行第二次刻蚀工艺形成底部停止在第一NFDARC层的表面的第二部分金属沟槽开口;进行第二次灰化工艺将第二光刻胶图形去除。本发明能采用2P2E
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382607 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011174770.X
(22)申请日 2020.10.28
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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