一种温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-28 发布于四川
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一种温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷，其组成表达式为aMgSiO3‑bMgTiO3‑cSrSiO3‑dSrTiO3，其中，a、b、c和d分别独立表示摩尔百分比，并满足以下条件：20mol％≤a≤30mol％，53mol％≤b≤63mol％，12mol％≤c≤22mol％，5mol％≤d≤15mol％，a+b+c+d＝100mol％。本发明还公开了一种温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷的制备方法。该微波介质陶瓷具有优异的微波介电性能，其烧结温度低，并具有较高的品质因数和近零的可调频率温度

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112341189 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202011336503.8 C04B 35/622 (2006.01) (22)申请日

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