SiC MOSFET结温实时动态预测方法及电压检测电路.pdfVIP

SiC MOSFET结温实时动态预测方法及电压检测电路.pdf

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本发明公开一种SiCMOSFET结温实时动态预测方法及电压检测电路，所述的结温在线预测方法包括以下步骤：SiCMOSFET壳温检测、SiCMOSFET实时功率损耗检测、基于勒贝格采样的结温实时动态预测。本发明可以获取未知工作状态下功率器件的实时结温，兼具实时性强和预测精度高的优势。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112364591 A (43)申请公布日 2021.02.12 (21)申请号 202010971576.8 (22)申请日 2020.09.16 (71)申请人南京

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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