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本发明适用于微机电系统领域,提供了一种多晶硅悬臂梁阵列结构及其制备方法和应用,该多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法包括以下步骤:在硅片衬底上沉积一层的类金刚石薄膜;干法刻蚀所述类金刚石薄膜后,再在其表面生长二氧化硅层;利用CF4和He的混合气体干法刻蚀所述二氧化硅层后,再在其表面生长多晶硅层;利用Cl2和He的混合气体干法刻蚀所述多晶硅层后,再腐蚀去除所述二氧化硅层,形成多晶硅悬臂梁,并经清洗、烘干后,得到所述多晶硅悬臂梁阵列结构。本发明制得的多晶硅悬臂梁阵列结构的衬底的表面能得到了有效的减弱,悬臂
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112340695 A
(43)申请公布日 2021.02.09
(21)申请号 202011224898.2
(22)申请日 2020.11.05
(71)申请人 沈阳工业大学
地址
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