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本发明涉及激光器技术领域，提供了一种半导体激光器腔面镀膜方法及半导体激光器，方法包括：将外延片解理成bar条，采用陪条相间夹条技术上夹具，并将夹具送至磁控溅射镀膜炉中抽真空；开启N2源，通过第一射频功率溅射N2产生氮等离子体轰击半导体激光器腔面；开启Ar源，通过第二射频功率预溅射Ar产生氩等离子体轰击铝靶材表面；开启Ar源和N2源的混合气体，通过第三射频功率溅射铝靶材，采用离子辅助镀膜技术在腔面沉积一层致密的氮化铝薄膜作为钝化膜。本发明解决了激光器制作时易被氧化和吸附杂质的问题，降低表面态密度，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112342514 A
(43)申请公布日 2021.02.09
(21)申请号 202011118090.6 C23C 14/18 (2006.01)
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