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本发明提供一种3DNAND闪存编程方法，包括：S1)提供3DNAND闪存阵列，清除残余电荷；S2)选通上部子存储模块所在位线；S3)于待编程的存储单元的漏极上施加漏极电压，并将源极浮空；S4)于待编程的存储单元的栅极上施加编程电压，完成编程；S5)完成上部子存储模块的编程后，在上部子存储模块保持编程状态的情况下，选通下部子存储模块所在位线重复步骤S3)及步骤S4)以实现对下部子存储模块的编程。本发明的3DNAND闪存编程方法基于三次电子碰撞原理完成编程，编程时的栅极电压远小于现有的隧穿(F
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112365913 B
(45)授权公告日 2021.09.03
(21)申请号 202011050195.2 G11C 16/12 (2006.01)
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