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一种降低碳化硅外延材料缺陷密度的方法.pdfVIP

一种降低碳化硅外延材料缺陷密度的方法.pdf

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    本发明公开了一种降低碳化硅外延材料缺陷密度的方法，首先采用较低的速度生长缓冲层，然后将其生长速率增大到接近外延层的生长速率，其中增速过程分为三段：第一阶段增速，刻蚀和第二阶段增速。一方面通过缓冲层速率的线性变化减小外延层和缓冲层之间因生长速率差异较大产生的失配，提高晶体质量，并且去除了外延层的增速过程，使整个外延层的层结构保持一致，减小层结构变化对器件设计的影响；另一方面通过对缓冲层的刻蚀使其形成理想的台阶形貌，有助于后续生长以台阶流模式进行。本发明方法简单易行，且和主流碳化硅外延工艺相兼容，适

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112366130 B (45)授权公告日 2022.07.29 (21)申请号 202011071755.2 H01L 21/04 (2006.01)

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