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本发明公开了一种基于甲烷吸附等温线的MOFs材料缺陷预测方法,方法包括先计算机模拟遍历MOFs完美晶体的配体缺失缺陷的含量和分布,以生成缺陷结构数据集;基于力场模拟计算数据集中所有缺陷结构对甲烷吸附的亨利常数、高压饱和吸附量,并基于这些数据推导缺陷结构的Langmuir吸附模型;从真实样品吸附甲烷的等温线实验数据中提取压力点并代入吸附模型,获得预测的甲烷吸附等温线,在等温线的压力范围内计算该甲烷吸附等温线和实验数据的误差,选出最小误差对应的缺陷结构;对该缺陷结构采用力场模拟计算甲烷吸附等温线,并
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112381270 B
(45)授权公告日 2022.03.29
(21)申请号 202011187586.9 (56)对比文件
(22)申请日 2020.10.30
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