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本发明提供了一种半导体存储器件，包括呈行列分布的电熔丝阵列，每行具有多个对称的电熔丝单元组，每个所述电熔丝单元组中具有两个对称的电熔丝存储器，每个所述电熔丝存储器中均具有两个晶体管，每行的所有晶体管依次串联。本发明中在电熔丝阵列的每行对应设置了两条位线，每行中奇数位的电熔丝单元组中的电熔丝存储器共享该行的一条位线，每行中偶数位的电熔丝单元组中的电熔丝存储器共享该行的另一条位线，从而可以在相同的面积下布局更多的电熔丝单元，降低了器件的尺寸。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112349313 B
(45)授权公告日 2021.12.03
(21)申请号 202011382171.7 (56)对比文件
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