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本发明提供了一种半导体器件结构和制备方法,制备方法包括如下步骤:提供表面形成有栅氧层的半导体衬底;在所述栅氧层上方形成图形化的栅极层和覆盖于所述栅极层顶部的阻挡层;对所述半导体衬底进行第一离子注入,在所述半导体衬底中形成第一掺杂区,所述阻挡层配置为在所述第一离子注入的过程中阻挡离子进入所述半导体衬底在所述栅极层下方的区域。本发明通过在栅极层顶部引入离子注入的阻挡层,在半导体制程特征尺寸减小、栅极层较薄的情况下,确保了高能离子注入时的离子不会注入栅极层下方的沟道区中;此外,本发明也在同一器件结构中
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112366179 A
(43)申请公布日 2021.02.12
(21)申请号 202011102126.1 H01L 27/11578 (2017.01)
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