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本发明公开了一种太阳能P型多晶硅片的制作工艺,生产工序步骤包括:(1)原料准备;(2)P型硅锭的制备;(3)硅锭的切割开方;(4)硅片的切割和清洗;所用原料包括:纯度6N的原生硅料、循环硅料、掺杂剂镓;所述循环硅料包括循环硅板、循环硅块、循环硅片、循环硅粉。其中的循环硅料在使用前需经过去杂提纯处理,铸锭时在坩埚边缘用循环硅料填充,在坩埚中心用掺杂镓的原生硅料填充,原生硅料中镓的掺杂浓度从坩埚底部到坩埚顶部逐渐减小,顶部镓的浓度为零,然后将装填硅料的坩埚置于微波烧结炉中,在氩气保护下经过升温、保温
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112359415 B
(45)授权公告日 2022.02.08
(21)申请号 202011317073.5 B28D 5/00 (2006.01)
(22)申请日 2
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