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本发明提供一种半导体器件及其形成方法、图像传感器。半导体器件的形成方法包括：提供衬底，在所述衬底的一侧表面形成密集分布的倒梯形沟槽；对所述衬底进行无掩膜刻蚀和/或无掩膜离子注入的前处理，使所述倒梯形沟槽的表面变粗糙；将变粗糙的所述倒梯形沟槽的表面进行酸法刻蚀，以在变粗糙的所述倒梯形沟槽的表面形成绒面结构。密集分布的倒梯形沟槽在衬底表面构成“大绒面”结构，扩展了硅片内的光路长度，有效光程长度随着在硅片中延长，增加了光的吸收效率。所述倒梯形沟槽的表面形成绒面结构，为“小绒面”结构，进一步增加了光在衬
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112349739 A
(43)申请公布日 2021.02.09
(21)申请号 202011166575.2
(22)申请日 2020.10.27
(71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司
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