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碳化硅籽晶粘接方法.pdfVIP

碳化硅籽晶粘接方法.pdf

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    本发明实施例提供一种碳化硅籽晶粘接方法，其包括：在籽晶托的粘接面上形成第一有机层，用以降低籽晶托的孔隙率；在碳化硅籽晶的粘接面上形成第二有机层，用以保护碳化硅籽晶；将柔性阻隔片的两个表面分别与籽晶托上的所述第一有机层和碳化硅籽晶上的第二有机层粘接；采用加热的方式对粘接后的碳化硅籽晶进行固化。本发明实施例提供的碳化硅籽晶粘接方法，可以减少晶体生长过程中的六方空洞缺陷，提升晶体质量。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112359413 A (43)申请公布日 2021.02.12 (21)申请号 202011260313.2 (22)申请日 2020.11.12 (71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司

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