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本发明提供一种砷化镓单晶生长装置及生长方法，砷化镓单晶生长装置包括石英帽、石英管和氮化硼坩埚；在xyz的三维空间直角坐标系中，所述氮化硼坩埚置于所述石英管内部并且所述石英帽与所述石英管密封连接后，所述石英帽壁的内表面的空间位置符合函数关系f1(x，y，z)，所述石英管壁的内表面的空间位置符合函数关系f2(x，y，z)，所述坩埚壁的外表面符合函数关系f3(x，y，z)。本发明的砷化镓单晶生长装置可以显著提高大直径砷化镓单晶载离子浓度的均匀性，降低大直径砷化镓单晶载离子浓度的不均匀性，降低砷化镓单晶
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112359409 A
(43)申请公布日 2021.02.12
(21)申请号 202011439182.4
(22)申请日 2020.12.10
(71)申请人 广东先导先进材料股份有限公司
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