一种沉积掺杂非晶硅薄膜无绕镀的方法和装置.pdfVIP

下载本文档

0
0
约6.91千字
约 7页
2023-05-28 发布于四川
举报
版权申诉

一种沉积掺杂非晶硅薄膜无绕镀的方法和装置.pdf

1、本文档共7页，其中可免费阅读6页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种沉积掺杂非晶硅薄膜无绕镀的方法和装置，包括如下步骤：S1.将硅片平躺放置在采用中空设计且仅与硅片四周边缘位置接触的载板上并输送至工艺腔内；S2.对工艺腔进行抽真空；S3.从底部向工艺腔内通入工艺气体，通过位于硅片上侧面的加热装置对硅片进行加热，并通过位于硅片下侧的电极放电激发工艺气体以在电极和硅片之间形成含有等离子体的反应区域，从下往上在硅片表面沉积薄膜。本发明通过将硅片平躺放置在采用中空设计并对硅片四周边缘位置起到支撑作用及包裹遮盖的载板上，在工艺腔内采用从下到上沉积薄膜的方式

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112359348 A (43)申请公布日 2021.02.12 (21)申请号 202011139286.3 C23C 14/56 (2006.01)

您可能关注的文档

文档评论（0）

知识产权出版社 + 关注: 官方认证

文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

咨询Ta 进入空间

认证主体北京中献电子技术开发有限公司

IP属地四川

统一社会信用代码/组织机构代码: 91110108102011667U

1亿VIP精品文档

更多 >

一种沉积掺杂非晶硅薄膜无绕镀的方法和装置.pdfVIP