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本发明涉及一种小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件熔融渗硅方法。解决对于小尺寸圆截面陶瓷基复合材料零构件LSI工艺制备过程存在的易产生内外密度梯度差、构件密度均匀差、易变形及底部液硅易堆积、粘接等问题。主要包括制备熔融渗硅工装、加工小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品及制备小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件的步骤，本发明在小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品内型内填充满SiC砂粒，同时，在小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品外壁与第一坩埚单元内壁之间的间隙即料粉装填区装填料粉；内外部双面熔融渗透，有效提高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112341213 B
(45)授权公告日 2022.05.13
(21)申请号 202011347663.2 C04B 35/622 (2006.01)
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