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2023-05-28 发布于四川
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一种基于磁性拓扑绝缘体薄膜的磁传感器制备方法.pdf

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一种高质量CrxBi2‑xTe3磁性拓扑绝缘体薄膜的制备工艺以及其特征在于采用分子束外延生长技术(MBE)制备Cr掺杂Bi2Te3磁性薄膜。该制备工艺可以获得大面积，可调控的薄膜材料。采用反应等离子耦合(ICP)刻蚀技术将该磁性薄膜刻蚀出标准的霍尔片形状，测试其霍尔灵敏度。通过调控Cr的掺杂浓度，可以获得具有不同灵敏度的反常霍尔效应磁传感器。并通过优化掺杂浓度，获得基于磁性CrxBi2‑xTe3薄膜反常霍尔效应的磁传感器的最大灵敏度可达6625Ω/T，该高灵敏度的磁传感器可非常稳定地用于低温超导

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112363096 A (43)申请公布日 2021.02.12 (21)申请号 202011037595.X (22)申请日 2020.09.28 (71)申请人南京大学地址 21

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