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本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种大尺寸钽酸锂晶体单畴化方法，包括以下步骤：a)将钽酸锂晶体放于高温炉内，升温至1350℃，保温4h，完成晶体退火，降至常温；b)将碳酸锂原料粉末、粘结剂按1：0.8～1：1的比例混合制成极化浆液，涂抹于退火完钽酸锂晶体的极化两端，再把极化用黄金丝埋于极化浆液内，迅速烘干，制成极化晶帽；c)将退火完的钽酸锂晶体按50‑60℃/h的升温速率升温，并使用电阻测试仪记录钽酸锂晶体电阻变化，当温度超过600℃，电阻变化速率变小，达到2Ω/10℃时，暂停升温，PLC施加
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112376114 B
(45)授权公告日 2021.12.14
(21)申请号 202011104786.3 C30B 33/00 (2006.01)
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