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2023-05-28 发布于四川
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本申请公开了一种硅基光收发器件及其制备方法，所述方法包括：获取SOI晶圆；制备锗调制器，包括：在所述SOI晶圆上定义调制器区域；在所述调制器区域形成第一锗材料层；通过光刻和刻蚀所述锗材料层形成第一锗波导；对所述调制器区域进行掺杂处理；在所述调制器区域形成第一电极和第二电极；制备锗探测器和硅光波导；在所述锗调制器、所述锗探测器和所述硅光波导的表面形成保护膜。本申请的硅基光收发器件及其制备方法，采用纯锗材料替代锗硅材料制作调制器，无需对锗硅材料中硅的成分严格控制，且只需要一步外延步骤，可以降低工艺成

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112379479 B (45)授权公告日 2021.12.28 (21)申请号 202011249399.9 G02B 6/42 (2006.01)

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