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本公开提供了一种发光二极管外延片及其制造方法,属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层。有源层包括靠近N型层的a个第一量子垒层、靠近P型层的b个第三量子垒层、以及位于a个第一量子垒层和b个第三量子垒层之间的c个第二量子垒层,a个第一量子垒层均为N型掺杂的GaN层,b个第三量子垒层均为P型掺杂的GaN层,c个第二量子垒层分别为N型掺杂的GaN层或P型掺杂的GaN层,且相邻两个第二量子垒层分别为不同掺杂的GaN层。该发光二极管
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112366256 B
(45)授权公告日 2021.12.07
(21)申请号 202011065419.7 H01L 33/32 (2010.01)
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