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本发明涉及晶体管及形成晶体管的方法。一些实施例包含具有栅极的晶体管，其中所述栅极在半导体基底之上。所述栅极具有侧壁。沟道区域在所述栅极之下。间隔件沿着所述侧壁。所述间隔件各自包含间隔件结构及所述间隔件与所述栅极之间的空隙。所述间隔件结构各自包含从水平片段向上延伸的垂直片段。所述垂直片段在拐角处接合到所述水平片段。源极/漏极区域邻近所述沟道区域。所述空隙可沿着所述间隔件结构的所述垂直片段的整体，且可围绕所述拐角延伸且延伸到所述间隔件结构的所述水平片段之下。另外或替代地，所述空隙的底部可邻近包含硅、
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112397589 A
(43)申请公布日
2021.02.23
(21)申请号 20201
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