基于WSe2/KTaO3范德华异质结的光电探测器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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基于WSe2/KTaO3范德华异质结的光电探测器及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种基于WSe2/KTaO3范德华异质结的光电探测器及其制备方法，属于光电材料技术领域。将少层WSe2转移到单晶KTO表面，再制备金属电极、二硒化钨和钽酸钾表面电子气及其构成的范德华异质结。本发明提供的基于WSe2/KTaO3范德华异质结构可实现对光照条件开/关的瞬时光电响应，开/关电流之比高达104；同时，在不加偏压时也能产生短路电流，可作为自供能光电探测器使用。这种光电器件结构简单、制备简单、性能优良。本发明技术方案为2D材料/2DEG系统的范德华异质结在高性能光电器件和光电探测器

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420872 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011263509.7 (22)申请日 2020.11.12 (71)申请人苏州科技大学

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