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本发明提供了一种贵金属纳米颗粒‑量子棒阵列的偏振器件制备方法,属于光电技术领域。所述方法利用激光倏逝驻波聚焦沉积技术,制备极化固定的贵金属银纳米颗粒线阵列基底,该银纳米颗粒线阵列基底与附有聚酰亚胺PI取向层的玻片复合作为量子棒的定向模板,在制备的复合定向结构中注射半导体量子棒溶液,制备贵金属纳米颗粒阵列‑定向半导体量子棒复合发光器件,同时实现量子棒阵列的荧光增强与偏振发光。该方法制备的贵金属阵列‑量子棒定向排列的复合结构,荧光强度可调且具有较高的偏振度,有助于为液晶显示技术、纳米表征技术、固态偏
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112420900 B
(45)授权公告日 2021.09.24
(21)申请号 202011223576.6 B82Y 20/00 (2011.01)
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