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本发明涉及稀土永磁材料技术领域,具体涉及一种提高稀土永磁材料磁性能的晶界扩散方法,包括如下步骤:S1、扩散基体前处理;S2、扩散源涂覆;S3、压力扩散热处理;将涂覆磁体放入低压烧结炉中,对烧结炉抽真空,然后升温到700~850℃并保温5‑20min,上述升温和保温过程中保持抽真空操作;保温结束后停止抽真空,继续维持炉内的温度在700~850℃,并通入惰性气体至炉内压强为0.1~10MPa,保温保压扩散处理0.5~5h;保温保压结束后,停止保温并通入室温高纯惰性气体,冷却至室温得到扩散磁体;S4、
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420305 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011246861.X C23C 14/58 (2006.01)
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