磁隧道结及降低磁隧道结自由层工艺波动的方法.pdfVIP

磁隧道结及降低磁隧道结自由层工艺波动的方法.pdf

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本发明提供一种磁隧道结，至少包括依次层叠的参考层、势垒层、磁性缓冲层和自由层；其中，所述磁性缓冲层的延展性比所述自由层的延展性强。本发明通过在势垒层表面增加一层薄的磁性缓冲层，利用其较好的延展性提供更平整的基底，使随后沉积的自由层薄膜的均一性更好，且不会损害磁隧道的TMR效应。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112397636 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 201910741890.4 H01L 43/12 (2006.01) (22)申请日 2019.08

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