ESD的产生原理及防护.pptxVIP

ESD的产生原理及防护;ESD的产生原理;几种常见的ESD模型;几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM);几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM);几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM);几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM);几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM);几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM);几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM);几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM);几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM);几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM);几种常见的ESD模型电场感应模型(Field-Induced Model, FIM);ESD的防护;ESD的防护;ESD的防护;ESD的防护;ESD防护器件的摆放;ESD防护器件的摆放;ESD与EOS的区别;导致EOS的原因：*由于测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰*电源(AC/DC) 干扰和过电压。*测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试信号。*从其他装置发送的脉冲。*工作流程不甚合理*接地反弹（由于接地点不够，快速电流切换导致电压升高）4、EOS的避免*电源– 确保交流电源配备了瞬态电流抑制器（滤波器）– 电源过压保护– 交流电源稳压器（可选）。– 电源时序控制器，可调整时序– 不共用滤波器和稳压器*工作流程– 将正确流程存档。– 确保针对以下内容进行培训并给出警示标志：%电源开/关顺序%不可“热插拔”%正确的插入方向– 定期检查以确保遵守相关规定;随着半导体行业的发展，微电路制造工艺不断提高（国外普遍采用0.8-1.0um，国内也达到2-3um的水平），以硅半导体为基础的微细工艺技术更加突显ESD对电子工业的危害，主要表现在：大规模集成电路IC的pin脚和I/O接口越来越多，pin间距越来越小，受到ESD时，其放电回路的阻抗非常小，无法限制放电电流的突变，使得IC的相关pin脚瞬间达到几十安培的大电流，过流和过热会导致IC严重损坏。另外ESD会??IC工作不正常，高电压在CMOS器件内会形成大电流通道，引起IC逻辑电路锁死。;、问：1M 电阻在半导体装配过程中的作用是什么？答：假设1：我们正谈论ESD 控制问题；假设2：人体与半导体及带有半导体的器件接触，在防静电腕、防静电鞋、拉链、地线等地方均可发现1M 串联电阻，其作用是限制可通过人体的电流量，保护人体安全。1M 电阻的主要限定要求是：在250V 交流有效值时，电流被限制到250 微安，正好是大多数人的感知水平（神经系统发生反射的临界值）。电流在体表及体内物理感知的不同取决于人体大小、重量、水份、皮肤条件等。;谢谢！;谢谢！;谢谢！;谢谢！;谢谢！;谢谢！;谢谢！;谢谢！;谢谢！;谢谢！;感谢观看！