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本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常闭型硅衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。晶体管包括硅衬底、外延结构、漏极电极、漏极欧姆接触金属层、钝化层、源极电极和栅极电极，其特征在于：源极电极和漏极电极分别位于器件的上下两侧，可改善平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管面临的问题，同时有利于与硅器件的集成，采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等问
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420829 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011320896.3
(22)申请日 2020.11.23
(71)申请人 江苏大学
地址 21
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