一种净尺寸C/SiC陶瓷基复合材料的制备方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种净尺寸C/SiC陶瓷基复合材料的制备方法.pdf

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本发明涉及一种净尺寸C/SiC陶瓷基复合材料的制备方法。所述制备方法包括：(1)提供碳/碳基体；(2)对所述碳/碳基体进行超声干燥洁净处理，并将ZrC‑ZrB2喷涂剂喷涂于所述碳/碳基体表面，得到多孔碳/碳复合材料；(3)以硅合金为反应物，采用反应熔渗法将所述多孔碳/碳复合材料制成净尺寸C/SiC陶瓷基复合材料。该制备方法通过利用ZrC、ZrB2与硅的热膨胀系数相差较大的特点，使得在材料表面残留堆积的硅呈现疏松多孔结构，借助于简单打磨，可获得净尺寸成型的C/SiC陶瓷基复合材料，从而减少后续机械

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112409005 B (45)授权公告日 2022.03.29 (21)申请号 202011322374.7 C04B 35/565 (2006.01)

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