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增强型高电子迁移率晶体管器件.pdfVIP

增强型高电子迁移率晶体管器件.pdf

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    一种增强型高电子迁移率晶体管器件，包括设置于基板上的沟道层、阻挡层、P型氮化镓层、保护层、栅极以及源极与漏极。阻挡层设置于沟道层上，P型氮化镓层设置于阻挡层上，保护层设置于P型氮化镓层上。栅极设置于保护层中，栅极的上表面从保护层的上表面凸出。源极与漏极分别位于栅极的两侧，且设置于沟道层、阻挡层、P型氮化镓层及保护层中，源极与漏极的上表面从保护层的上表面凸出。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397583 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 20191

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