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存储器元件及其制造方法.pdfVIP

存储器元件及其制造方法.pdf

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    一种存储器元件及其制造方法，存储器元件包括堆叠结构、柱、停止层以及接触插塞。所述堆叠结构，包括多个导体层。所述柱穿过所述堆叠结构。所述柱包括多个串联的存储单元，所述多个串联的存储单元在所述柱位置布局图案中位于所述柱与所述导体层的多个交叉点处。所述第一停止层覆盖所述堆叠结构以及部分所述柱的顶面。所述接触插塞穿过所述第一停止层，延伸至所述柱中，且与所述多个串联的存储单元电性连接。所述接触窗着陆于所述接触插塞上，借由接触插塞与部分所述柱通道层电性连接。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420733 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 201910811139.7 (22)申请日 2019.08.29 (30)优先权数据 16/547,01

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