台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法，制备方法包括氮化硅钝化膜的生长步骤；所述氮化硅钝化膜的生长步骤包括：在铟镓砷外延片上采用PECVD法生长两叠层的氮化硅钝化膜，其中，底层氮化硅钝化膜包括致密结构的呈压应力的Si3N4膜，底层氮化硅钝化膜的厚度范围为100nm～200nm，顶层氮化硅钝化膜包括疏松结构的呈拉应力的SiNx膜，所述顶层氮化硅钝化膜的厚度范围为200nm～400nm。本发明采用低应力、致密的氮化硅薄膜钝化方式，控制了探测器芯片的翘曲度；而且提升了钝化效果；钝化膜生长过

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112420871 B (45)授权公告日 2021.07.20 (21)申请号 202011055651.2 H01L 31/109 (2006.01) (22)申请日

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