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在深孔中形成薄膜层的方法及半导体器件的制备方法.pdfVIP

在深孔中形成薄膜层的方法及半导体器件的制备方法.pdf

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    本发明提供一种在深孔中形成薄膜层的方法，所述方法包括：提供形成有所述深孔的基底并将所述基底置入沉积室；采用原子层沉积工艺向沉积室内通入反应源，持续若干时间；停止向所述沉积室内通入反应源，并密闭所述沉积室若干时间，以在所述深孔侧壁形成薄膜层。本发明的优点在于，在停止向沉积室内通入反应源后，密闭所述沉积室若干时间，使得未参与反应的反应源停留在沉积室内。在所述沉积室被密闭后，所述沉积室内形成高压环境，则在压力的作用下，未发生反应的反应源会朝向深孔的底部方向流动，从而在所述深孔底部未发生沉积的区域沉积，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112420731 B (45)授权公告日 2021.12.17 (21)申请号 202011284960.7 (56)对比文件

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