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可以提供一种制造半导体器件的方法,该方法包括:准备包括晶片内部区域和晶片边缘区域的基板,该晶片内部区域包括芯片区域和划片槽区域;在基板上依次堆叠模制层和支撑层;在支撑层上形成第一掩模层,第一掩模层包括在晶片边缘区域上的第一台阶区域;在第一台阶区域上形成台阶差补偿图案;在第一掩模层和台阶差补偿图案上形成包括开口的第二掩模图案;以及使用第二掩模图案作为蚀刻掩模依次蚀刻第一掩模层、支撑层和模制层以在至少模制层中形成多个孔。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112397384 A
(43)申请公布日 2021.02.23
(21)申请号 202010781737.7
(22)申请日 2020.08.06
(30)优先权数据
10-2019-0
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