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2023-05-29 发布于四川
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图像传感器及其制作方法.pdf

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本发明提供的图像传感器及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底上分布有若干像素单元，像素单元位于衬底内的第一类型阱区中；刻蚀衬底，形成位于相邻的所述像素单元之间的隔离沟槽；对隔离沟槽的周圈衬底进行第二类型的离子注入，第二类型的离子与第一类型阱区中的离子形成PN结；隔离层填充隔离沟槽。像素单元之间的隔离将深沟槽隔离(DTI)与离子注入形成PN结隔离相结合，在隔离沟槽的周圈衬底内形成PN结，阻挡隔离沟槽附近因缺陷产生的载流子自由进入读取区和感光区，减小暗电流的同时具有良好的电性和光学隔离效果，并且减小了

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397539 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011269572.1 (22)申请日 2020.11.13 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司

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