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2023-05-29 发布于四川
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一种标准单元抗单粒子效应加固的方法.pdf

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本发明属于半导体集成电路领域，涉及一种标准单元抗单粒子效应加固的方法。甄别标准单元库中所有标准单元版图文件中的晶体管共源极连接、独立源漏连接方式，将其替换成共漏极连接方式；将标准单元库中高驱动能力单元内部两个较低驱动能力子模块用驱动能力相当的两个子模块替换；还可增加所有标准单元阱接触与第一层金属之间的金属接触孔数目。本发明有效地减小了标准单元敏感反偏漏极面积，增加了高驱动能力单元内部子模块的稳定性，缓解了由电荷共享引起的标准单元金属线上的电压降，能有效地对标准单元库单元进行抗单粒子效应加固。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112395823 B (45)授权公告日 2022.08.16 (21)申请号 202011286350.0 CN 107068674 A,2017.08.18 (22)申请日 20

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