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本发明提供一种用于改善SGT工艺中多晶硅裂缝的方法，包括栅极多晶硅、位于栅极多晶硅两侧且上表面高于栅极多晶硅的第一氧化层；沿第一氧化层的侧壁刻蚀该第一氧化层结构至露出栅极多晶硅头部使第一氧化层的开口呈倒梯形；形成一层覆盖栅极多晶硅头部的第二氧化层，使栅极多晶硅头部的正截面形成正梯形；刻蚀第一、第二氧化层至露出截面结构为正梯形的栅极多晶硅头部为止；在露出的栅极多晶硅头部形成一层栅极氧化层，之后沉积覆盖栅极氧化层的多晶硅层；回刻多晶硅层至露出所述栅极多晶硅头部的栅极氧化层为止。本发明通过增加热氧工艺
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420503 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011349728.7
(22)申请日 2020.11.26
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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