一种改进的磷化铟晶体合成和生长工艺及装置.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种改进的磷化铟晶体合成和生长工艺及装置.pdf

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本发明涉及磷化铟晶体制备技术领域，具体涉及一种磷化铟晶体合成和生长工艺及装置。本发明在熔体坩埚的外部设置的电磁约束感应器，约束熔体横向截面尺寸和形状，使熔体的侧面与坩埚的内壁脱离接触或部分脱离接触。在坩埚的上部设置的电磁加热感应器，加热磷化铟晶体，控制晶体中的温度梯度。由于熔体与石英坩埚壁间形成间隔，减少了熔体与坩埚的接触面积，有利于降低坩埚中杂质对磷化铟晶体的污染；同时由于增加了熔体与磷蒸汽的接触面积，使得磷原子可以更有效地向熔体内部扩散，有利于提高晶体合成和生长速度，而控制熔体横向截面尺寸及

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112410883 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011278512.6 (22)申请日 2020.11.16 (71)申请人宇泽半导体（云南）有限公司

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