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本申请涉及半导体技术领域,具体公开一种GaN功率器件结构、结温测试装置和方法。GaN功率器件结构包括GaN基异质结构、欧姆接触电极以及肖特基接触电极。欧姆接触电极包括设置于所述GaN基异质结构上的栅极、源极以及漏极;肖特基接触电极设置于所述GaN基异质结构上,且位于所述栅极与所述源极之间,所述肖特基接触电极与所述源极分别构成肖特基二极管的两极。通过改进GaN功率器件结构,并通过结温测试方法能够实现对GaN功率器件结温的测试,并获得GaN功率器件的结温信息,进而为对GaN功率器件的工作寿命的预估提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420806 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011156048.3 G01R 31/26 (2014.01)
(22)申请日 2
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