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本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常闭型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。与现有常规平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管相比，本发明提供的结构将源极和漏极设在器件的上下两侧，有利于解决平面结构所面临的在大栅极偏压或者高频条件下会出现电流崩塌效应，工作在高温、大功率环境时会产生“自热效应”等问题。本发明采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420828 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011319808.8
(22)申请日 2020.11.23
(71)申请人 江苏大学
地址 21
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