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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法,半导体器件依次包括衬底;多层半导体层和P型外延层,还包括位于P型外延层远离多层半导体层一侧的阳极以及位于多层半导体层远离衬底一侧的阴极,阳极在衬底上的垂直投影与P型外延层在衬底上的垂直投影至少部分交叠。采用上述技术方案,通过在半导体器件中增设P型外延层,通过P性外延层通过抬高能带、耗尽阳极下方的二维电子气,从而降低半导体器件的器件漏电;另一方面,本发明中的半导体器件无需对多层半导体层进行刻蚀形成阳极凹槽,不存在刻蚀损伤,避免了传统阳极凹槽结构的界面态;并且
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420850 A
(43)申请公布日
2021.02.26
(21)申请号 20191
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