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本发明公开了一种用于场发射电子源的高电子透过率的石墨烯栅极结构的制备方法,该复合栅极结构是由导电薄膜(1)、石墨烯海绵(2)和金属电极(3)构成。其制备步骤为:首先利用热化学气相沉积法将石墨烯直接生长在金属海绵网表面,然后将金属网腐蚀去除,并将其固定在金属膜片的圆孔之上;随后将石墨烯薄膜转移到石墨烯海绵上表面;最后,将该复合结构放置于真空系统中进行高温退火。本发明充分利用了石墨烯材料的低电子散射效应和高传导的特性,石墨烯海绵与石墨烯同种物质的原子间范德华力,增强栅网结构之间的附着力,降低电阻率,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420468 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011302224.X
(22)申请日 2020.11.19
(71)申请人 东南大学
地址 21
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