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一种SiC-Hf（Ta）C复合涂层的制备方法、复合涂层及石墨基座.pdfVIP

一种SiC-Hf（Ta）C复合涂层的制备方法、复合涂层及石墨基座.pdf

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    本发明公开一种SiC‑Hf(Ta)C复合涂层的制备方法、复合涂层及石墨基座，该制备方法包括以下步骤：石墨基体表面预处理；将Si粉和SiO2粉末混合，放入所述化学气相沉积炉中，使化学气相沉积炉中充满氩气；升温至1800‑2000℃，保温进行反应，保持炉压5‑10kPa，反应时间为2‑4h；降温至1500‑1700℃，通入四氯化铪气体、五氯化钽气体、甲烷、氢气和稀释气体氩气，进行CVD沉积，沉积时间为2‑8h；反应完成后，在充满氩气氛围中降温至室温，取出产品；本发明的方法所制备的复合涂层，与石墨基体

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112391606 B (45)授权公告日 2022.01.14 (21)申请号 202011270485.8 (51)Int.Cl.

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