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提供用于制造包括低k介电材料层的半导体器件的方法，其包括在包括半导体衬底的下部结构上形成具有第一开口的第一图案结构。第一图案结构包括堆叠图案和覆盖堆叠图案的至少一个侧表面的第一间隔体层。包括SiOCH材料的第一能流动材料层形成在第一间隔体层上以填充第一开口并覆盖第一图案结构的上部部分。对第一能流动材料层进行包括将气态氨催化剂供应到第一能流动材料层中的第一固化工艺以形成包括水的第一固化材料层。对第一固化材料层进行第二固化工艺以形成第一低k介电材料层。将第一低k介电材料层平坦化以形成平坦化的第一低k
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112397440 A
(43)申请公布日 2021.02.23
(21)申请号 202010805333.7
(22)申请日 2020.08.12
(30)优先权数据
10-2019-0
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