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本发明公开了一种用于大尺寸单晶金刚石拼接生长工艺，适用于微波等离子体化学气相沉积方法(MPCVD)外延生长单晶金刚石，包括步骤：步骤一、加工单晶金刚石晶种片边缘呈榫接口状。步骤二、进行边缘接口的清理。步骤三、将完成拼接的多个晶种进行双面打磨，以降低高度差。步骤四、将边缘呈榫接口状的金刚石晶种拼接到一起。步骤五、将打磨后的金刚石采用MPCVD法对拼接打磨后的晶种进行生长。本发明通过可微米级的榫接缝隙技术，使单晶金刚石生长过程中的应力弛豫，提高生长效果。利用榫接、边缘处理、高度差处理等工艺实现大尺寸
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112391680 A
(43)申请公布日 2021.02.23
(21)申请号 202011281272.5
(22)申请日 2020.11.16
(71)申请人 物生生物科技（北京）有限公司
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