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实施方式提供能够实现电气特性的改善的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有第1布线、第2布线、第1沟道部、第2沟道部、第1电荷储存部、第2电荷储存部、第1绝缘部、第2绝缘部和第3绝缘部。上述第1绝缘部包括设在上述第1电荷储存部的至少一部分与上述第2电荷储存部的至少一部分之间的部分,沿第1方向延伸。上述第2绝缘部设在上述第1绝缘部与上述第1布线之间,在上述第1方向上与上述第1电荷储存部相邻的位置处沿上述第1方向延伸。上述第3绝缘部设在上述第2布线与上述第1绝缘部之间,在上述第1方向上与上述第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420710 A
(43)申请公布日
2021.02.26
(21)申请号 20201
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