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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种加热结构、半导体处理装置及加热方法。所述加热结构包括：管道，用于传输经压缩的干燥气体；空气放大器，与所述管道的输出端连通，用于将经压缩的所述干燥气体放大；加热器，与所述空气放大器连接，用于将经放大的所述干燥气体加热后传输至待加热物体的表面。本发明避免了对半导体处理装置内部结构的损伤，进而在确保半导体制程顺利进行的同时，也提高了半导体处理装置的使用寿命。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420544 A
(43)申请公布日
2021.02.26
(21)申请号 20191
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